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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心顯微測(cè)量?jī)x臺(tái)階儀NS200抗蝕劑臺(tái)階高度儀
抗蝕劑臺(tái)階高度儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NS系列抗蝕劑臺(tái)階高度儀(搭載LVDC線性可變差動(dòng)電容傳感器)以亞埃級(jí)分辨率檢測(cè)抗蝕劑材料,一站式解決批量檢測(cè)效率低、數(shù)據(jù)偏差大、適配性不足等行業(yè)痛點(diǎn)。

產(chǎn)品型號(hào):NS200
更新時(shí)間:2025-11-25
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:81
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在半導(dǎo)體芯片制造、光刻工藝等精密加工場(chǎng)景中,抗蝕劑臺(tái)階高度的精準(zhǔn)測(cè)量直接決定了電路圖案轉(zhuǎn)移精度、蝕刻工藝穩(wěn)定性,進(jìn)而影響產(chǎn)品良率與生產(chǎn)成本。NS系列抗蝕劑臺(tái)階高度儀(搭載LVDC線性可變差動(dòng)電容傳感器)以亞埃級(jí)分辨率檢測(cè)抗蝕劑材料,一站式解決批量檢測(cè)效率低、數(shù)據(jù)偏差大、適配性不足等行業(yè)痛點(diǎn)。

抗蝕劑臺(tái)階高度儀

一、核心優(yōu)勢(shì)

1.亞埃級(jí)精度,數(shù)據(jù)零偏差

13μm量程下實(shí)現(xiàn)0.01埃分辨率,5?超高解析力,精準(zhǔn)捕捉抗蝕劑臺(tái)階從納米級(jí)到1050μm的細(xì)微形貌,匹配光刻膠、抗蝕劑等精密材料的測(cè)量要求,為工藝調(diào)整提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

2.工藝深度適配,測(cè)量無限制

兼容光刻、蝕刻、沉積、CMP等半導(dǎo)體核心工藝,可精準(zhǔn)量化抗蝕劑涂覆、顯影、蝕刻后的臺(tái)階高度變化,不受抗蝕劑材料硬度、反射率影響,適配不同型號(hào)光刻膠檢測(cè)需求。

3.批量高效檢測(cè),降本增效

支持多區(qū)域陣列式測(cè)量,批量芯片一鍵完成多點(diǎn)位檢測(cè),搭配SPC統(tǒng)計(jì)分析功能,直觀呈現(xiàn)數(shù)據(jù)變化趨勢(shì),減少人工干預(yù),檢測(cè)效率提升30%以上,助力精益生產(chǎn)。

4.操作智能便捷,降低使用門檻

500W像素雙導(dǎo)航光學(xué)影像系統(tǒng)(正視+斜視可選),精準(zhǔn)規(guī)劃掃描路徑、實(shí)時(shí)跟進(jìn)軌跡,避免抗蝕劑細(xì)微結(jié)構(gòu)測(cè)量偏差;磁吸式快速換針設(shè)計(jì),現(xiàn)場(chǎng)秒級(jí)更換測(cè)針+軟件快速標(biāo)定,保障檢測(cè)連續(xù)性與重復(fù)性。

抗蝕劑臺(tái)階高度儀

二、核心功能(針對(duì)抗蝕劑測(cè)量場(chǎng)景)

1.精準(zhǔn)參數(shù)測(cè)量,覆蓋工藝全流程

(1)抗蝕劑臺(tái)階高度:精準(zhǔn)測(cè)量納米至1050μm范圍的臺(tái)階高度,量化光刻膠涂覆厚度、顯影后殘留高度、蝕刻后臺(tái)階落差,保障電路圖案轉(zhuǎn)移精度。

(2)表面粗糙度輔助分析:同步獲取Ra、Rz等數(shù)十項(xiàng)粗糙度參數(shù),評(píng)估抗蝕劑表面均勻性,避免因表面缺陷影響后續(xù)工藝效果。

(3)多維度數(shù)據(jù)互補(bǔ):可選配應(yīng)力測(cè)量功能,輔助分析抗蝕劑涂覆后的表面應(yīng)力分布,為工藝優(yōu)化提供全面數(shù)據(jù)。

2.智能測(cè)量模式,適配不同檢測(cè)場(chǎng)景

(1)單區(qū)域快速檢測(cè):針對(duì)研發(fā)樣品、小批量測(cè)試件,影像導(dǎo)航定位后一鍵啟動(dòng),快速完成單點(diǎn)精準(zhǔn)測(cè)量,縮短研發(fā)周期。

(2)多區(qū)域批量檢測(cè):針對(duì)量產(chǎn)芯片,按橫向/縱向距離陣列設(shè)置掃描路徑,一鍵完成整批樣品多點(diǎn)位檢測(cè),減少重復(fù)操作。

(3)3D可視化呈現(xiàn):自動(dòng)完成抗蝕劑表面掃描與3D圖像重建,細(xì)微臺(tái)階結(jié)構(gòu)直觀可溯,便于排查工藝異常。

(4)SPC統(tǒng)計(jì)分析:生成批量檢測(cè)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖表,支持質(zhì)量追溯與工藝偏差預(yù)警,助力穩(wěn)定量產(chǎn)良率。


三、核心應(yīng)用場(chǎng)景(聚焦半導(dǎo)體核心工藝)

1.半導(dǎo)體芯片制造:光刻膠涂覆厚度檢測(cè)、顯影后臺(tái)階高度分析、蝕刻工藝臺(tái)階落差測(cè)量、CMP后抗蝕劑殘留高度管控。

2.*封裝工藝:封裝過程中抗蝕劑輔助層臺(tái)階高度檢測(cè),保障封裝精度。

3.MEMS器件制造:MEMS結(jié)構(gòu)中抗蝕劑犧牲層臺(tái)階高度測(cè)量,支撐微型器件研發(fā)與量產(chǎn)。

4.科研與高校:光刻工藝研發(fā)、新型抗蝕劑材料性能測(cè)試,提供精準(zhǔn)數(shù)據(jù)支撐。

抗蝕劑臺(tái)階高度儀

(注:產(chǎn)品參數(shù)與功能將隨技術(shù)升級(jí)持續(xù)優(yōu)化,具體以實(shí)際溝通為準(zhǔn))

NS系列抗蝕劑臺(tái)階高度儀以“精準(zhǔn)、高效、適配、智能"為核心,匹配半導(dǎo)體行業(yè)抗蝕劑測(cè)量需求。如需了解產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)、申請(qǐng)樣品測(cè)試,或針對(duì)您的光刻工藝定制專屬檢測(cè)方案,歡迎隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器。

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